العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > EPC2012CENGR
EPC2012CENGR
EPC2012CENGR
رقم القطعة:
EPC2012CENGR
الصانع:
EPC
وصف:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14093 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2012CENGR.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2012CENGR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2012CENGR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2012CENGR مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 1mA
تكنولوجيا:GaNFET (Gallium Nitride)
تجار الأجهزة حزمة:Die Outline (4-Solder Bar)
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:100 mOhm @ 3A, 5V
تبديد الطاقة (ماكس):-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-EPC2012CENGRTR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2012CENGR
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:100pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1nC @ 5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لEPC2012CENGR

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE تحقيق
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE تحقيق
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE تحقيق
EPC2038ENGR Image EPC2038ENGR EPC TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2019ENG Image EPC2019ENG EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE تحقيق
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE تحقيق
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE تحقيق
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE تحقيق
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE تحقيق
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE تحقيق
EPC2012C Image EPC2012C EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE تحقيق
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE تحقيق
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE تحقيق
EPC2030ENGRT Image EPC2030ENGRT EPC MOSFET NCH 40V 31A DIE تحقيق
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE تحقيق
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE تحقيق
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE تحقيق

Latest الأخبار