يشترى EPC2015CENGR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 9mA |
---|---|
فغس (ماكس): | +6V, -4V |
تكنولوجيا: | GaNFET (Gallium Nitride) |
تجار الأجهزة حزمة: | Die Outline (11-Solder Bar) |
سلسلة: | eGaN® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 33A, 5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | - |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | Die |
اسماء اخرى: | 917-EPC2015CENGRTR |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | EPC2015CENGR |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1000pF @ 20V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.7nC @ 5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 40V 36A (Ta) Surface Mount Die Outline (11-Solder Bar) |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
وصف: | TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 36A (Ta) |
Email: | [email protected] |