يشترى FC8V33030L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FC8V33030L
- رقم القطعة:
- FC8V33030L
- الصانع:
- Panasonic
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14009 Pieces
- ورقة البيانات:
- FC8V33030L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FC8V33030L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FC8V33030L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 480µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | WMini8-F1 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 3.3A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, Flat Lead |
| درجة حرارة التشغيل: | 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FC8V33030L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 360pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.8nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 33V 6.5A 1W Surface Mount WMini8-F1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 33V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 33V 6.5A WMINI8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFC8V33030L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMHC4035LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC | تحقيق |
 |
SSM6N15AFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 30V 0.1A 2-2J1C | تحقيق |
 |
SSM6P35FE,LM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6 | تحقيق |
 |
APTC60HM35T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3 | تحقيق |
 |
SH8J31GZETB | Rohm Semiconductor | 60V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
 |
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8 | تحقيق |
|
DMC4028SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N/P-CH 40V 8SOIC | تحقيق |
|
DI9956T | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTHC5513T1 | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET | تحقيق |
 |
ALD110908PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog