يشترى FDME1034CZT مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDME1034CZT
- رقم القطعة:
- FDME1034CZT
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12889 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDME1034CZT.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDME1034CZT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDME1034CZT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| سلسلة: | PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 600mW |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 6-UFDFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | FDME1034CZT-ND FDME1034CZTFSTR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FDME1034CZT |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 300pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4.2nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.8A, 2.6A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDME1034CZT
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI4834BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
BSC750N10ND G | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON | تحقيق |
 |
FDME1024NZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET | تحقيق |
|
FDME1023PZT | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET | تحقيق |
 |
AO8804 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP | تحقيق |
 |
GWM120-0075X1-SMDSAM | IXYS | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS | تحقيق |
 |
BUK9M5R2-30EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V MLFPAK | تحقيق |
 |
SP8K3FU6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | تحقيق |
|
BUK9M52-40EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2N-CH 40V MLFPAK | تحقيق |
 |
DMG1026UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT563 T&R | تحقيق |
 |
NTMD2C02R2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC | تحقيق |
 |
AO4850 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog