يشترى FDS4435BZ_F085 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
FDS4435BZ_F085
- رقم القطعة:
- FDS4435BZ_F085
- الصانع:
- Fairchild/ON Semiconductor
- وصف:
- MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13741 Pieces
- ورقة البيانات:
- FDS4435BZ_F085.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FDS4435BZ_F085 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FDS4435BZ_F085 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±25V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SOIC |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 20 mOhm @ 8.8A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | FDS4435BZ_F085-ND FDS4435BZ_F085TR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | FDS4435BZ_F085 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1845pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 40nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لFDS4435BZ_F085
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4620PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
FDS4410 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC | تحقيق |
|
FDS4435 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
FDS4470 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 12.5A 8SOIC | تحقيق |
|
FDS4480 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SOIC | تحقيق |
|
FDS4435BZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC | تحقيق |
|
FDS4465_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 8-SOIC | تحقيق |
|
FDS4465 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC | تحقيق |
|
FDS4435A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDB9406_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB | تحقيق |
|
FDS4488 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPD50N04S309ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRFBG20L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog