يشترى IRFBG20L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFBG20L
- رقم القطعة:
- IRFBG20L
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13629 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFBG20L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFBG20L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFBG20L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11 Ohm @ 840mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | *IRFBG20L |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFBG20L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 1.4A (Ta) Through Hole I2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFBG20L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBG30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFR4105ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK | تحقيق |
 |
IRLL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
IRFSL4020PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 18A TO262 | تحقيق |
|
IRFBG20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRLS3813TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBG30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF9640PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 11A TO-220AB | تحقيق |
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | تحقيق |
 |
STP75N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
SIHG14N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | تحقيق |
 |
SISS10DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S | تحقيق |
|
IRFBG20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB | تحقيق |
 |
SI2307CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IXTU02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 | تحقيق |
 |
IRF6712STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog