العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > FKP253
FKP253
رقم القطعة:
FKP253
الصانع:
Sanken Electric Co., Ltd.
وصف:
MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12083 Pieces
ورقة البيانات:
1.FKP253.pdf2.FKP253.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل FKP253 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك FKP253 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى FKP253 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:95 mOhm @ 10A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):40W (Tc)
التعبئة والتغليف:Bulk
حزمة / كيس:TO-220-3 Full Pack
اسماء اخرى:FKP253 DK
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:FKP253
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1600pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:-
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 250V 20A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):250V
وصف:MOSFET N-CH 250V 20A TO-220F
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لFKP253

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IRFU310PBF Image IRFU310PBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK تحقيق
SI2341DS-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23 تحقيق
FDP8443_F085 Image FDP8443_F085 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3 تحقيق
DMN10H170SVT-13 Image DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26 تحقيق
IPW60R041C6 Image IPW60R041C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 77.5A TO 247-3 تحقيق
C3M0065100K Image C3M0065100K Cree/Wolfspeed 1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET تحقيق
PHD63NQ03LT,118 Image PHD63NQ03LT,118 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 30V 68.9A DPAK تحقيق
FDS3580 Image FDS3580 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC تحقيق
CSD18534KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 تحقيق
FKP252 Image FKP252 Sanken MOSFET N-CH 250V 25A TO-220F تحقيق
FKP250A Image FKP250A Sanken MOSFET N-CH 250V 50A TO-3PF تحقيق
IRFU5505PBF Image IRFU5505PBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 55V 18A I-PAK تحقيق
RJK6032DPH-E0#T2 Image RJK6032DPH-E0#T2 Renesas Electronics America MOSFET N-CH 600V 3A TO251 تحقيق
BSC027N04LSGATMA1 Image BSC027N04LSGATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8 تحقيق
IRFR12N25DPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 14A DPAK تحقيق
CSD16404Q5A Texas Instruments MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON تحقيق
NTF3055-160T1 Image NTF3055-160T1 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 تحقيق
STP2N62K3 Image STP2N62K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220 تحقيق
SI1072X-T1-GE3 Image SI1072X-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SC89 تحقيق
TPH3208LD Image TPH3208LD Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 تحقيق

Latest الأخبار