يشترى GBJ810-F مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GBJ810-F
- رقم القطعة:
- GBJ810-F
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15011 Pieces
- ورقة البيانات:
- GBJ810-F.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GBJ810-F ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GBJ810-F عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 4A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | GBJ |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, GBJ |
| اسماء اخرى: | GBJ810-FDI GBJ810F |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GBJ810-F |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBJ |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGBJ810-F
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
VUO35-14NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 38A 1400V PWS-A | تحقيق |
 |
CMFBR-6F BK | Central Semiconductor Corp | DIODE RECTIFIER BRIDGE SOT143 | تحقيق |
|
VUO70-08NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 70A 800V FO-T-A | تحقيق |
 |
GBJ810 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ | تحقيق |
 |
SC3BK4F | Semtech Corporation | BRIDGE RECT 11A 400V | تحقيق |
 |
G3SBA80-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE 1PH 4A 800V | تحقيق |
 |
GBU6B-BP | Micro Commercial Co | RECT BRIDGE GPP 6A 100V GBU | تحقيق |
 |
VS-26MT100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 1000V 25A D-63 | تحقيق |
 |
VS-36MT40 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECT BRIDGE 3-PHA 400V 35A D-63 | تحقيق |
 |
BU2008-M3/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 20A 800V BU | تحقيق |
 |
KBL01 | Fairchild/ON Semiconductor | IC BRIDGE RECT 4A 100V KBL | تحقيق |
 |
GBPC1501-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 15A 100V GBPC | تحقيق |
 |
MB3505 | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE 50V 35A MB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog