يشترى GBJ810 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GBJ810
- رقم القطعة:
- GBJ810
- الصانع:
- Diodes Incorporated
- وصف:
- RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17630 Pieces
- ورقة البيانات:
- GBJ810.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GBJ810 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GBJ810 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 1000V |
|---|---|
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 4A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | GBJ |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, GBJ |
| اسماء اخرى: | GBJ810DI |
| درجة حرارة التشغيل: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | GBJ810 |
| وصف موسع: | Bridge Rectifier Single Phase 1000V 8A Through Hole GBJ |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف: | RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 1000V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGBJ810
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
KBPC5006T | GeneSiC Semiconductor | DIODE BRIDGE 600V 50A KBPC-T/W | تحقيق |
 |
VBO160-18NO7 | IXYS | DIODE BRIDGE 174A 1800V PWS-E-1 | تحقيق |
 |
W08G/1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 1.5A 800V WOG | تحقيق |
 |
VUO34-18NO1 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 36A 1800V V1-A | تحقيق |
 |
GBJ10005 | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 50V 10A GBJ | تحقيق |
 |
VS-160MT160KPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IC BRIDGE 3PH 160A 1600V MTK | تحقيق |
 |
3N248-M4/51 | Vishay Semiconductor Diodes Division | BRIDGE RECT 1.5A 200V KBPM | تحقيق |
 |
KBPC3504-G | Comchip Technology | RECTIFIER BRIDGE 35A 400V KBPC | تحقيق |
 |
VUO82-14NO7 | IXYS | RECT BRIDGE 3PH 88A 1400V PWS-D | تحقيق |
 |
HD02-T | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GP 200V 0.8A MINIDIP | تحقيق |
 |
VS-2KBB60 | Vishay Semiconductor Diodes Division | RECTIFIER BRIDGE 600V 1.9A D-37 | تحقيق |
|
GBJ810-F | Diodes Incorporated | RECT BRIDGE GPP 1000V 8A GBJ | تحقيق |
|
VUB116-16NOXT | IXYS | DIODE BRIDGE 1600V 120A | تحقيق |
 |
KBJ401G | Diodes Incorporated | RECTIFIER BRIDGE GPP 100V 4A KBJ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers