يشترى GP1M003A040PG مع BYCHPS
شراء مع ضمان
GP1M003A040PG
- رقم القطعة:
- GP1M003A040PG
- وصف:
- MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13014 Pieces
- ورقة البيانات:
- GP1M003A040PG.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M003A040PG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M003A040PG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I-Pak |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.4 Ohm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 30W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | GP1M003A040PG |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 210pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.7nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I-Pak |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 400V |
| وصف: | MOSFET N-CH 400V 2A IPAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGP1M003A040PG
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GP1M003A090C | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK | تحقيق |
 |
GP1M003A080PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A IPAK | تحقيق |
|
GP1M003A040CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK | تحقيق |
 |
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | تحقيق |
|
GP1M003A050PG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK | تحقيق |
|
GP1M003A050CG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK | تحقيق |
|
GP1M003A090PH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK | تحقيق |
|
GP1M003A080H | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220 | تحقيق |
 |
GP1M003A080CH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A DPAK | تحقيق |
 |
GP1M003A050FG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F | تحقيق |
|
GP1M003A080FH | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 800V 3A TO220F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog