العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP1M003A090PH
GP1M003A090PH
GP1M003A090PH
رقم القطعة:
GP1M003A090PH
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16866 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M003A090PH.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M003A090PH ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M003A090PH عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M003A090PH مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):94W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:1560-1158-1
1560-1158-1-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M003A090PH
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:748pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:17nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 900V 2.5A (Tc) 94W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):900V
وصف:MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP1M003A090PH

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP1M003A080CH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A DPAK تحقيق
GP1M003A040PG Image GP1M003A040PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A IPAK تحقيق
GP1M003A090C Image GP1M003A090C Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK تحقيق
GP1M003A040CG Image GP1M003A040CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 400V 2A DPAK تحقيق
GP1M003A050FG Image GP1M003A050FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F تحقيق
GP1M003A080H Image GP1M003A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220 تحقيق
GP1M003A080PH Image GP1M003A080PH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A IPAK تحقيق
GP1M003A050CG Image GP1M003A050CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK تحقيق
GP1M003A050PG Image GP1M003A050PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK تحقيق
GP1M003A050HG Image GP1M003A050HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 تحقيق
GP1M003A080FH Image GP1M003A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 3A TO220F تحقيق

Latest الأخبار