العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > GP1M008A025PG
GP1M008A025PG
GP1M008A025PG
رقم القطعة:
GP1M008A025PG
الصانع:
Global Power Technologies Group
وصف:
MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18857 Pieces
ورقة البيانات:
GP1M008A025PG.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل GP1M008A025PG ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك GP1M008A025PG عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى GP1M008A025PG مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:5V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I-Pak
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:600 mOhm @ 4A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):52W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
اسماء اخرى:1560-1166-1
1560-1166-1-ND
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:GP1M008A025PG
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:423pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:8.4nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 250V 8A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-Pak
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):250V
وصف:MOSFET N-CH 250V 8A IPAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لGP1M008A025PG

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
GP1M008A025CG Image GP1M008A025CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 8A DPAK تحقيق
GP1M008A050HG Image GP1M008A050HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8A TO220 تحقيق
GP1M008A025HG Image GP1M008A025HG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 8A TO220 تحقيق
GP1M008A050PG Image GP1M008A050PG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8A IPAK تحقيق
GP1M008A050CG Image GP1M008A050CG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8A DPAK تحقيق
GP1M008A050FG Image GP1M008A050FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 500V 8A TO220F تحقيق
GP1M008A080H Image GP1M008A080H Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 8A TO220 تحقيق
GP1M008A025FG Image GP1M008A025FG Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 250V 8A TO220F تحقيق
GP1M008A080FH Image GP1M008A080FH Global Power Technologies Group MOSFET N-CH 800V 8A TO220F تحقيق

Latest الأخبار