يشترى GP1M008A080H مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | TO-220 |
سلسلة: | - |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 250W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
اسماء اخرى: | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | GP1M008A080H |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1921pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 46nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 800V 8A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
وصف: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | [email protected] |