يشترى IKD10N60R مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IKD10N60R
- رقم القطعة:
- IKD10N60R
- وصف:
- IGBT 600V 20A 150W TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15212 Pieces
- ورقة البيانات:
- IKD10N60R.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IKD10N60R ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IKD10N60R عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.1V @ 15V, 10A |
| اختبار حالة: | 400V, 10A, 23 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 14ns/192ns |
| تحويل الطاقة: | 590µJ |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | TrenchStop® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 62ns |
| السلطة - ماكس: | 150W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IKD10N60RBTMA1 IKD10N60RINTR SP000629350 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IKD10N60R |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench |
| بوابة المسؤول: | 64nC |
| وصف موسع: | IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3 |
| وصف: | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 30A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIKD10N60R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | تحقيق |
|
IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252 | تحقيق |
|
IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 | تحقيق |
 |
IRG7PH46UD-EP | Infineon Technologies | IGBT 1200V 108A COPAK247 | تحقيق |
|
IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | تحقيق |
 |
APT102GA60L | Microsemi Corporation | IGBT 600V 183A 780W TO264 | تحقيق |
 |
IXBF32N300 | IXYS | IGBT 3000V 40A 160W ISOPLUSI4 | تحقيق |
 |
RJH60V1BDPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | تحقيق |
 |
HGTD3N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 33W TO252AA | تحقيق |
 |
SGH20N60RUFDTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 32A 195W TO3P | تحقيق |
 |
IXGP10N60A | IXYS | IGBT 600V 20A 100W TO220AB | تحقيق |
 |
IXGH25N120A | IXYS | IGBT 1200V 50A 200W TO247AD | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog