يشترى IPAW60R180P7SXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPAW60R180P7SXKSA1
- رقم القطعة:
- IPAW60R180P7SXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 18A TO220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19744 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPAW60R180P7SXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPAW60R180P7SXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPAW60R180P7SXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 280µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220 Full Pack |
| سلسلة: | CoolMOS™ P7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 180 mOhm @ 5.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 26W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | SP001606072 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPAW60R180P7SXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1081pF @ 400V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 25nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 18A (Tc) 26W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPAW60R180P7SXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | تحقيق |
 |
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | تحقيق |
 |
SI2309DS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 1.25A SOT23-3 | تحقيق |
 |
IRFR9020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | تحقيق |
 |
MTP2P50E | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 500V 2A TO-220AB | تحقيق |
|
IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | تحقيق |
|
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
|
IXTP32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-220 | تحقيق |
|
MMIX1T600N04T2 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 600A SMPD | تحقيق |
 |
EKI04027 | Sanken | MOSFET N-CH 40V 85A TO-220 | تحقيق |
|
IPB14N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog