يشترى IPAW60R190CEXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPAW60R190CEXKSA1
- رقم القطعة:
- IPAW60R190CEXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16876 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPAW60R190CEXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPAW60R190CEXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPAW60R190CEXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 630µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220 Full Pack |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 34W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 Full Pack |
| اسماء اخرى: | SP001391612 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPAW60R190CEXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1400pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 63nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 26.7A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 26.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPAW60R190CEXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD90N10S406ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | تحقيق |
 |
IXTH75N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO247AD | تحقيق |
 |
IPAW60R280CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
IPAW60R180P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | تحقيق |
|
IPAW60R380CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
|
IPAW60R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
 |
IRL60HS118 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN | تحقيق |
 |
IRF2907ZS-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK7 | تحقيق |
 |
IXFR32N50Q | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A ISOPLUS247 | تحقيق |
 |
BUK9Y8R7-60E,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK | تحقيق |
|
IPAW60R360P7SXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220 | تحقيق |
 |
GKI07113 | Sanken | MOSFET N-CH 75V 9A 8DFN | تحقيق |
 |
IPI90N06S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3 | تحقيق |
 |
TK39A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog