IPB065N10N3GATMA1
IPB065N10N3GATMA1
رقم القطعة:
IPB065N10N3GATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18377 Pieces
ورقة البيانات:
IPB065N10N3GATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB065N10N3GATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB065N10N3GATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB065N10N3GATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 90µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.5 mOhm @ 80A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):150W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:SP001232588
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB065N10N3GATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4910pF @ 50V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:64nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 100V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):100V
وصف:MOSFET N-CH TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات