يشترى IPB065N15N3GE8187ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB065N15N3GE8187ATMA1
- رقم القطعة:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14748 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB065N15N3GE8187ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB065N15N3GE8187ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 270µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-7 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.5 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| اسماء اخرى: | IPB065N15N3 G E8187 IPB065N15N3 G E8187-ND IPB065N15N3 G E8187TR-ND SP000939336 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPB065N15N3GE8187ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 7300pF @ 75V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 93nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB065N15N3GE8187ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB065N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO-263-3 | تحقيق |
|
IPB065N10N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB06N03LAT | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB065N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IPB065N15N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7 | تحقيق |
 |
PMT760EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V SC-73 | تحقيق |
|
IPB06N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB067N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3 | تحقيق |
|
IPB06N03LB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK | تحقيق |
|
IPB06CN10N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog