IPB065N15N3GE8187ATMA1
IPB065N15N3GE8187ATMA1
رقم القطعة:
IPB065N15N3GE8187ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14748 Pieces
ورقة البيانات:
IPB065N15N3GE8187ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB065N15N3GE8187ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB065N15N3GE8187ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB065N15N3GE8187ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 270µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-7
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:6.5 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
اسماء اخرى:IPB065N15N3 G E8187
IPB065N15N3 G E8187-ND
IPB065N15N3 G E8187TR-ND
SP000939336
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPB065N15N3GE8187ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7300pF @ 75V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:93nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 150V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):150V
وصف:MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات