IPB100N04S4H2ATMA1
IPB100N04S4H2ATMA1
رقم القطعة:
IPB100N04S4H2ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18772 Pieces
ورقة البيانات:
IPB100N04S4H2ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB100N04S4H2ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB100N04S4H2ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB100N04S4H2ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 70µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-3-2
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.4 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):115W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB100N04S4H2ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB100N04S4H2ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:7180pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:90nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات