يشترى IPB60R190C6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPB60R190C6
- رقم القطعة:
- IPB60R190C6
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17799 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPB60R190C6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB60R190C6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB60R190C6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 630µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO263-2 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 151W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IPB60R190C6ATMA1 IPB60R190C6INTR SP000641916 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPB60R190C6 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1400pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 63nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPB60R190C6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPB60R380C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263 | تحقيق |
|
IPB60R199CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB60R199CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 16A TO-263 | تحقيق |
|
IPB60R190P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
|
IPB60R520CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263 | تحقيق |
|
IPB60R280C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 | تحقيق |
|
IPB60R125CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 25A TO263 | تحقيق |
|
IPB60R125C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 30A TO263 | تحقيق |
 |
IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
|
IPB60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
|
IPB60R165CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | تحقيق |
|
IPB60R160P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | تحقيق |
|
IPB60R160C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263 | تحقيق |
|
IPB60R380P6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog