العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1
IPB60R190P6ATMA1
رقم القطعة:
IPB60R190P6ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V TO263-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13178 Pieces
ورقة البيانات:
IPB60R190P6ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB60R190P6ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB60R190P6ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB60R190P6ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 630µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263
سلسلة:CoolMOS™ P6
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 7.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):151W (Tc)
التعبئة والتغليف:Original-Reel®
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB60R190P6ATMA1DKR
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB60R190P6ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1750pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:37nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V TO263-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPB60R190P6ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPB60R120C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 تحقيق
IPB60R520CPATMA1 Image IPB60R520CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-263 تحقيق
IPB60R165CP Image IPB60R165CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK تحقيق
IPB60R199CPAATMA1 Image IPB60R199CPAATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB60R160C6 Image IPB60R160C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 23.8A TO263 تحقيق
IPB60R280C6 Image IPB60R280C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263 تحقيق
IPB60R380C6 Image IPB60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO263 تحقيق
IPB60R125C6 Image IPB60R125C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 30A TO263 تحقيق
IPB60R125CP Image IPB60R125CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 25A TO263 تحقيق
IPB60R190C6 Image IPB60R190C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO263 تحقيق
IPB60R180C7ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 تحقيق
IPB60R199CP Image IPB60R199CP Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16A TO-263 تحقيق
IPB60R160P6ATMA1 Image IPB60R160P6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO263-3 تحقيق
IPB60R380P6ATMA1 Image IPB60R380P6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO263-3 تحقيق

Latest الأخبار