IPB60R950C6
IPB60R950C6
رقم القطعة:
IPB60R950C6
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18045 Pieces
ورقة البيانات:
IPB60R950C6.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPB60R950C6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPB60R950C6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPB60R950C6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 130µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO263-2
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:950 mOhm @ 1.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):37W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
اسماء اخرى:IPB60R950C6-ND
IPB60R950C6ATMA1
SP000660620
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPB60R950C6
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:280pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:13nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 4.4A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:4.4A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات