يشترى IPD053N08N3GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD053N08N3GBTMA1
- رقم القطعة:
- IPD053N08N3GBTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17506 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD053N08N3GBTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD053N08N3GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD053N08N3GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 150W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD053N08N3 G IPD053N08N3 G-ND IPD053N08N3 GTR-ND IPD053N08N3G SP000395183 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD053N08N3GBTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4750pF @ 40V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 69nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 80V 90A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 80V |
| وصف: | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD053N08N3GBTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
IRFRC20TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 2A DPAK | تحقيق |
 |
TK11A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS | تحقيق |
|
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | تحقيق |
 |
SUM70N03-09CP-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK | تحقيق |
|
IPD053N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | تحقيق |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | تحقيق |
 |
DMP2007UFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8 | تحقيق |
|
IRL3705ZSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog