يشترى IPD053N06N3GBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD053N06N3GBTMA1
- رقم القطعة:
- IPD053N06N3GBTMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19149 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD053N06N3GBTMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD053N06N3GBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD053N06N3GBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 58µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.3 mOhm @ 90A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 115W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD053N06N3 G IPD053N06N3 G-ND IPD053N06N3 GTR-ND SP000453318 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD053N06N3GBTMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6600pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 82nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD053N06N3GBTMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD053N08N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD053N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3 | تحقيق |
 |
IXTT88N30P | IXYS | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 | تحقيق |
 |
IPD050N03LGBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
 |
ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH SOT223 | تحقيق |
 |
SI4435DY | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NVD5413NT4G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | تحقيق |
|
IPD05N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK | تحقيق |
 |
IRF1010NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK | تحقيق |
|
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 18A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD050N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD05N03LA G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK | تحقيق |
 |
IXTF230N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 130A ISOPLUS I4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog