يشترى IPD25N06S4L30ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD25N06S4L30ATMA1
- رقم القطعة:
- IPD25N06S4L30ATMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15750 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPD25N06S4L30ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD25N06S4L30ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD25N06S4L30ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 8µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3-11 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 29W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD25N06S4L-30 IPD25N06S4L-30-ND IPD25N06S4L-30TR IPD25N06S4L-30TR-ND SP000481508 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD25N06S4L30ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1220pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 16.3nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 25A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD25N06S4L30ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD25CN10NGBUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD25N06S4L30ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD25N06S240ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD250N06N3GBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 28A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD25N06S240ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 29A TO252-3 | تحقيق |
 |
NTD18N06L | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | تحقيق |
 |
IXFH18N60X | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
 |
IPP057N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPD25CN10NGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 85V 35A TO252-3 | تحقيق |
 |
IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog