يشترى IXFH18N60X مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXFH18N60X
- رقم القطعة:
- IXFH18N60X
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19059 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXFH18N60X.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXFH18N60X ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXFH18N60X عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 1.5mA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 230 mOhm @ 9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 320W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 8 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXFH18N60X |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1440pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 18A (Tc) 320W (Tc) Through Hole TO-247 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 18A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH18N60X
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH18N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 18A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH18N90P | IXYS | MOSFET N-CH TO-247 | تحقيق |
|
IXFH10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD | تحقيق |
 |
IXFH14N85X | IXYS | MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3 | تحقيق |
|
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 14A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH17N80Q | IXYS | MOSFET N-CH 800V 17A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH18N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH12N90 | IXYS | MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH170N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 170A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH15N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH16N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 16A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH14N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 14A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH160N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH150N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 150A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH160N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 160A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog