IPD50N03S4L06ATMA1
IPD50N03S4L06ATMA1
رقم القطعة:
IPD50N03S4L06ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14264 Pieces
ورقة البيانات:
IPD50N03S4L06ATMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD50N03S4L06ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD50N03S4L06ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD50N03S4L06ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 20µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-11
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.5 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):56W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD50N03S4L06ATMA1-ND
IPD50N03S4L06ATMA1TR
SP000415580
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD50N03S4L06ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2330pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:31nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 50A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات