العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD50N06S4L12ATMA1
IPD50N06S4L12ATMA1
IPD50N06S4L12ATMA1
رقم القطعة:
IPD50N06S4L12ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13346 Pieces
ورقة البيانات:
IPD50N06S4L12ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD50N06S4L12ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD50N06S4L12ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD50N06S4L12ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 20µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-11
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:12 mOhm @ 50A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):50W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD50N06S4L-12
IPD50N06S4L-12-ND
IPD50N06S4L12ATMA1TR
IPD50N06S4L12DTMA1
SP000476422
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD50N06S4L12ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2890pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:40nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 60V 50A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):60V
وصف:MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:50A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD50N06S4L12ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD50N06S4L12ATMA2 Image IPD50N06S4L12ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S4L08ATMA2 Image IPD50N06S4L08ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S409ATMA1 Image IPD50N06S409ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S409ATMA2 Image IPD50N06S409ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S214ATMA1 Image IPD50N06S214ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S2L13ATMA2 Image IPD50N06S2L13ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S4L08ATMA1 Image IPD50N06S4L08ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N04S4L08ATMA1 Image IPD50N04S4L08ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 تحقيق
IPD50N04S408ATMA1 Image IPD50N04S408ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 تحقيق
IPD50N06S2L13ATMA1 Image IPD50N06S2L13ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N06S214ATMA2 Image IPD50N06S214ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3 تحقيق
IPD50N03S4L06ATMA1 Image IPD50N03S4L06ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 تحقيق

Latest الأخبار