IPD50R1K4CEBTMA1
IPD50R1K4CEBTMA1
رقم القطعة:
IPD50R1K4CEBTMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13575 Pieces
ورقة البيانات:
IPD50R1K4CEBTMA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD50R1K4CEBTMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD50R1K4CEBTMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD50R1K4CEBTMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 70µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:CoolMOS™ CE
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.4 Ohm @ 900mA, 13V
تبديد الطاقة (ماكس):25W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD50R1K4CEBTMA1TR
IPD50R1K4CETR
IPD50R1K4CETR-ND
SP000992072
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD50R1K4CEBTMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:178pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:1nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 500V 3.1A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):13V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):500V
وصف:MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات