يشترى IPD50R280CE مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPD50R280CE
- رقم القطعة:
- IPD50R280CE
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19602 Pieces
- ورقة البيانات:
- 1.IPD50R280CE.pdf2.IPD50R280CE.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD50R280CE ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD50R280CE عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 350µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 280 mOhm @ 4.2A, 13V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 92W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IPD50R280CEBTMA1 IPD50R280CEINTR SP000992082 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | IPD50R280CE |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 773pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 32.6nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Super Junction |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 13A (Tc) 92W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 13A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPD50R280CE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPD50R2K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
 |
IPD50R280CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 18.1A TO252 | تحقيق |
|
IPD50R520CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-252 | تحقيق |
|
IPD50R280CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO252 | تحقيق |
|
IPD50R950CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
|
IPD50R2K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 2.4A PG-TO252 | تحقيق |
|
IPD50R800CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
|
IPD50R399CPATMA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
IPD50N04S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313 | تحقيق |
|
IPD50R950CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252 | تحقيق |
|
IPD50R1K4CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 3.1A PG-TO-252 | تحقيق |
|
IPD50N03S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | تحقيق |
|
IPD50R3K0CEBTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog