العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD60R380C6
IPD60R380C6
IPD60R380C6
رقم القطعة:
IPD60R380C6
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17290 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R380C6.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R380C6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R380C6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R380C6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 320µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 3.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):83W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R380C6BTMA1
IPD60R380C6INTR
SP000660628
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPD60R380C6
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:700pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:32nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD60R380C6

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD60R380C6ATMA1 Image IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R380E6BTMA1 Image IPD60R380E6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R380P6ATMA1 Image IPD60R380P6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V DPAK-3 تحقيق
IPD60R380P6BTMA1 Image IPD60R380P6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3TO252 تحقيق
IPD60R3K3C6ATMA1 Image IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 تحقيق
IPD60R385CPATMA1 Image IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 تحقيق
IPD60R380E6ATMA2 Image IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R385CPBTMA1 Image IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 تحقيق

Latest الأخبار