العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD60R380P6ATMA1
IPD60R380P6ATMA1
IPD60R380P6ATMA1
رقم القطعة:
IPD60R380P6ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V DPAK-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15890 Pieces
ورقة البيانات:
IPD60R380P6ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD60R380P6ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD60R380P6ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD60R380P6ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 320µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3
سلسلة:CoolMOS™ P6
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:380 mOhm @ 3.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):83W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD60R380P6ATMA1TR
SP001135814
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD60R380P6ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:877pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:19nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V DPAK-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:10.6A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD60R380P6ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD60R380E6ATMA2 Image IPD60R380E6ATMA2 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R3K3C6ATMA1 Image IPD60R3K3C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3 تحقيق
IPD60R385CPATMA1 Image IPD60R385CPATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 9A TO-252 تحقيق
IPD60R380C6ATMA1 Image IPD60R380C6ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R380C6 Image IPD60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R380P6BTMA1 Image IPD60R380P6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 3TO252 تحقيق
IPD60R380E6BTMA1 Image IPD60R380E6BTMA1 Infineon Technologies MOSFET NCH 600V 10.6A TO252 تحقيق
IPD60R385CPBTMA1 Image IPD60R385CPBTMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A TO-252 تحقيق

Latest الأخبار