يشترى IPG16N10S461ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPG16N10S461ATMA1
- رقم القطعة:
- IPG16N10S461ATMA1
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17333 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPG16N10S461ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPG16N10S461ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPG16N10S461ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 9µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TDSON-8-4 |
| سلسلة: | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 61 mOhm @ 16A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 29W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | SP000892972 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPG16N10S461ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 490pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Standard |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPG16N10S461ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG16N10S4L61AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
SI5935CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8 | تحقيق |
 |
FDS9933 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC | تحقيق |
 |
CPH5617-TL-E | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 0.15A CPH5 | تحقيق |
 |
EPC2105ENGRT | EPC | MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE | تحقيق |
|
IPG16N10S461AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
STS8DN3LLH5 | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO | تحقيق |
 |
HP8K22TB | Rohm Semiconductor | 30V NCH+NCH MID POWER MOSFET | تحقيق |
 |
VMM1000-01P | IXYS | MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI | تحقيق |
|
SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET | تحقيق |
 |
IRF7350PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 100V 8SOIC | تحقيق |
|
BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 5A 8DSO | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog