EPC2105ENGRT
EPC2105ENGRT
رقم القطعة:
EPC2105ENGRT
الصانع:
EPC
وصف:
MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18633 Pieces
ورقة البيانات:
EPC2105ENGRT.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل EPC2105ENGRT ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك EPC2105ENGRT عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى EPC2105ENGRT مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.5V @ 2.5mA
تجار الأجهزة حزمة:Die
سلسلة:eGaN®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:14.5 mOhm @ 20A, 5V
السلطة - ماكس:-
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:Die
اسماء اخرى:917-EPC2105ENGRTR
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:EPC2105ENGRT
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:300pF @ 40V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:2.5nC @ 5V
نوع FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET الميزة:GaNFET (Gallium Nitride)
وصف موسع:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A Surface Mount Die
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف:MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:9.5A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات