يشترى IPP65R225C7XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 240µA |
---|---|
فغس (ماكس): | ±20V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
سلسلة: | CoolMOS™ C7 |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 225 mOhm @ 4.8A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 63W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-220-3 |
اسماء اخرى: | SP000929432 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IPP65R225C7XKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 996pF @ 400V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 650V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
وصف: | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
Email: | [email protected] |