العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPP65R190E6XKSA1
IPP65R190E6XKSA1
IPP65R190E6XKSA1
رقم القطعة:
IPP65R190E6XKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13013 Pieces
ورقة البيانات:
IPP65R190E6XKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP65R190E6XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP65R190E6XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPP65R190E6XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 730µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO-220-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 7.3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):151W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:12 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPP65R190E6XKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1620pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:73nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPP65R190E6XKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPP65R190CFDAAKSA1 Image IPP65R190CFDAAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-220-3 تحقيق
IPP65R225C7XKSA1 Image IPP65R225C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 11A TO-220-3 تحقيق
IPP65R125C7XKSA1 Image IPP65R125C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 18A TO220 تحقيق
IPP65R190C7FKSA1 Image IPP65R190C7FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 13A TO220 تحقيق
IPP65R190CFDXKSA1 Image IPP65R190CFDXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220 تحقيق
IPP65R280C6XKSA1 Image IPP65R280C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220 تحقيق
IPP65R150CFDAAKSA1 Image IPP65R150CFDAAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-220-3 تحقيق
IPP65R110CFDXKSA1 Image IPP65R110CFDXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 تحقيق
IPP65R190C6XKSA1 Image IPP65R190C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220 تحقيق
IPP65R110CFDAAKSA1 Image IPP65R110CFDAAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-220-3 تحقيق
IPP65R150CFDXKSA1 Image IPP65R150CFDXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 تحقيق
IPP65R065C7XKSA1 Image IPP65R065C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO-220-3 تحقيق

Latest الأخبار