يشترى IPZ60R060C7XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPZ60R060C7XKSA1
- رقم القطعة:
- IPZ60R060C7XKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12505 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPZ60R060C7XKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPZ60R060C7XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPZ60R060C7XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 800µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO247-4 |
| سلسلة: | CoolMOS™ C7 |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 162W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-4 |
| اسماء اخرى: | SP001385028 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPZ60R060C7XKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2850pF @ 400V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 68nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPZ60R060C7XKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFZ34S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK | تحقيق |
 |
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | تحقيق |
 |
STL105NS3LLH7 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56 | تحقيق |
|
IRFC3205ZEB | Infineon Technologies | MOSFET N-CH WAFER | تحقيق |
 |
IPZ60R037P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 | تحقيق |
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | تحقيق |
|
IPZ60R017C7XKSA1 | Infineon Technologies | HIGH POWER_NEW | تحقيق |
|
IRFR3418TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 70A DPAK | تحقيق |
|
IPZ60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 | تحقيق |
|
IPZ60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 | تحقيق |
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | تحقيق |
 |
STN1NK60Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 | تحقيق |
|
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO247-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog