العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPZ60R070P6FKSA1
IPZ60R070P6FKSA1
رقم القطعة:
IPZ60R070P6FKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V TO247-4
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16064 Pieces
ورقة البيانات:
IPZ60R070P6FKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPZ60R070P6FKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPZ60R070P6FKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPZ60R070P6FKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1.72mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO247-4
سلسلة:CoolMOS™ P6
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:70 mOhm @ 20.6A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):391W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-4
اسماء اخرى:SP001313880
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:8 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPZ60R070P6FKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4750pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:100nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 53.5A (Tc) 391W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V TO247-4
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:53.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPZ60R070P6FKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPZ60R037P7XKSA1 Image IPZ60R037P7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 76A TO247-4 تحقيق
IPZ60R060C7XKSA1 Image IPZ60R060C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 تحقيق
IPP60R380C6 Image IPP60R380C6 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220 تحقيق
IPZ60R040C7XKSA1 Image IPZ60R040C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 تحقيق
IPZ60R041P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 تحقيق
FQD20N06LTM Image FQD20N06LTM Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK تحقيق
IPZ60R099P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 تحقيق
RDD020N50TL Rohm Semiconductor MOSFET N-CH 500V 2A CPT3 تحقيق
IPZ60R099C7XKSA1 Image IPZ60R099C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4 تحقيق
AON6566 Image AON6566 Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N CH 30V 29A 8DFN تحقيق
IPZ60R017C7XKSA1 Infineon Technologies HIGH POWER_NEW تحقيق
IPZ60R125P6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V TO247-4 تحقيق
IRFR3707ZTRLPBF Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 56A DPAK تحقيق

Latest الأخبار