IRF6611TR1PBF
IRF6611TR1PBF
رقم القطعة:
IRF6611TR1PBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13754 Pieces
ورقة البيانات:
IRF6611TR1PBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF6611TR1PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF6611TR1PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF6611TR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.25V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DIRECTFET™ MX
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:2.6 mOhm @ 27A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.9W (Ta), 89W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:DirectFET™ Isometric MX
اسماء اخرى:IRF6611TR1PBFTR
SP001526904
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRF6611TR1PBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:4860pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:56nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:32A (Ta), 150A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات