يشترى IRF6618TR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET™ MT |
سلسلة: | HEXFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.2 mOhm @ 30A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric MT |
اسماء اخرى: | IRF6618TR1PBFTR SP001532196 |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | IRF6618TR1PBF |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5640pF @ 15V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 65nC @ 4.5V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 30V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
وصف: | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 30A (Ta), 170A (Tc) |
Email: | [email protected] |