يشترى IRF8010PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF8010PBF
- رقم القطعة:
- IRF8010PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17622 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF8010PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF8010PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF8010PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 260W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRF8010PBF SP001575444 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRF8010PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3830pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 80A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF8010PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PHP20NQ20T,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB | تحقيق |
 |
STU6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V IPAK | تحقيق |
 |
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IRF8010SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFU9120 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 100V 5.6A I-PAK | تحقيق |
 |
IXTP200N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 | تحقيق |
 |
SCT2H12NZGC11 | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 1700V 3.7A | تحقيق |
 |
RCJ700N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 70A LPTS | تحقيق |
 |
BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | تحقيق |
 |
IRF6626TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET | تحقيق |
 |
NVMFS5C468NLWFT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
|
AUIRL3705ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFHM831TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog