يشترى IRF8010SPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF8010SPBF
- رقم القطعة:
- IRF8010SPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19667 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF8010SPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF8010SPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF8010SPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 15 mOhm @ 45A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 260W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRF8010SPBF SP001575454 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF8010SPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3830pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 120nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 80A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF8010SPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
DMN65D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V SOT23 | تحقيق |
 |
MMBF170LT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 500MA SOT-23 | تحقيق |
 |
IRF8010STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
|
IRF8010STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK | تحقيق |
 |
SK8403180L | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 30V 12A 8HSSO | تحقيق |
 |
RFD12N06RLE | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK | تحقيق |
 |
IRF8010PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | تحقيق |
 |
AOB2906 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V TO-263 | تحقيق |
 |
NVMFS4C01NWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 49A SO8FL | تحقيق |
 |
IXKT70N60C5 | IXYS | MOSFET P-CH 600V 68A TO-268 | تحقيق |
 |
DMTH3004LPSQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET NCH 30V 22A POWERDI | تحقيق |
 |
IXTH60N15 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 60A TO-247 | تحقيق |
 |
STE40NK90ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 900V 40A ISOTOP | تحقيق |
 |
NTD3055L170-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog