يشترى IRF8302MTRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF8302MTRPBF
- رقم القطعة:
- IRF8302MTRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 31A MX
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14610 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF8302MTRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF8302MTRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF8302MTRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 150µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET™ MX |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.8 mOhm @ 31A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.8W (Ta), 104W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric MX |
| اسماء اخرى: | IRF8302MTRPBF-ND IRF8302MTRPBFTR SP001555742 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRF8302MTRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6030pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 53nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 31A (Ta), 190A (Tc) 2.8W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 31A MX |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Ta), 190A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF8302MTRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8308MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | تحقيق |
|
IRF8302MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 31A MX | تحقيق |
 |
IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | تحقيق |
|
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | تحقيق |
|
IRF8304MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | تحقيق |
|
IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET | تحقيق |
 |
IRF8327STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | تحقيق |
|
IRF8308MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | تحقيق |
 |
IRF8327STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | تحقيق |
|
IRF8306MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET | تحقيق |
 |
IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog