يشترى IRF8306MTR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF8306MTR1PBF
- رقم القطعة:
- IRF8306MTR1PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14696 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF8306MTR1PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF8306MTR1PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF8306MTR1PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 100µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET™ MX |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric MX |
| اسماء اخرى: | IRF8306MTR1PBFTR SP001551608 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF8306MTR1PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4110pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Body) |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 23A (Ta), 140A (Tc) 2.1W (Ta), 75W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Ta), 140A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF8306MTR1PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8308MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | تحقيق |
 |
IRF8313TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF8302MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 31A MX | تحقيق |
|
IRF8308MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A MX | تحقيق |
|
IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET | تحقيق |
|
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | تحقيق |
|
IRF8302MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N CH 30V 31A MX | تحقيق |
 |
IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT | تحقيق |
 |
IRF8327STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | تحقيق |
|
IRF8304MTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 28A MX | تحقيق |
 |
IRF8327STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A SQ | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog