يشترى IRF8915 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF8915
- رقم القطعة:
- IRF8915
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12516 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF8915.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF8915 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF8915 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 2W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | *IRF8915 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF8915 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 540pF @ 10V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.4nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8.9A 2W Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 8.9A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF8915
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
PMGD400UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | تحقيق |
|
IRF8910GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
AO4952 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | تحقيق |
 |
FDPC8014AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A | تحقيق |
|
IRF8915TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
FDZ1323NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP | تحقيق |
|
IRF8910GPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SO | تحقيق |
|
IRF8915TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | تحقيق |
|
FDD8424H_F085A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | تحقيق |
|
IRF8910PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog