يشترى SI3552DV-T1-GE3 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
SI3552DV-T1-GE3
- رقم القطعة:
- SI3552DV-T1-GE3
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17509 Pieces
- ورقة البيانات:
- SI3552DV-T1-GE3.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل SI3552DV-T1-GE3 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك SI3552DV-T1-GE3 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA (Min) |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-TSOP |
| سلسلة: | TrenchFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 105 mOhm @ 2.5A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 1.15W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| اسماء اخرى: | SI3552DV-T1-GE3TR SI3552DVT1GE3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 15 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | SI3552DV-T1-GE3 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | - |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 3.2nC @ 5V |
| نوع FET: | N and P-Channel |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لSI3552DV-T1-GE3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FDD8424H_F085A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK | تحقيق |
 |
DMN65D8LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 0.18A SOT363 | تحقيق |
 |
SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP | تحقيق |
 |
PMGD400UN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.71A 6TSSOP | تحقيق |
 |
SIA912DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6 | تحقيق |
 |
AO4952 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
|
FDZ1323NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP | تحقيق |
 |
APTC60DHM24T3G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 | تحقيق |
 |
IRF5851TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 2.7A 6-TSOP | تحقيق |
 |
FDPC8014AS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A | تحقيق |
 |
SI1563EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6 | تحقيق |
 |
FDM2509NZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP | تحقيق |
 |
SI7540DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog