يشترى IRF9Z24NSTRR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
سلسلة: | HEXFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | IRF9Z24NSTRR |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 350pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 19nC @ 10V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | P-Channel 55V 12A (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount D2PAK |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
وصف: | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12A (Tc) |
Email: | [email protected] |