يشترى IRFBE20S مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFBE20S
- رقم القطعة:
- IRFBE20S
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15184 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFBE20S.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFBE20S ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFBE20S عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRFBE20S |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFBE20S |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 530pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 1.8A (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFBE20S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE20PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFBE30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE20 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFBE20STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFBE20L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262 | تحقيق |
|
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFBE30LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | تحقيق |
|
IRFBE30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog