يشترى IRFBE30LPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFBE30LPBF
- رقم القطعة:
- IRFBE30LPBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14782 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFBE30LPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFBE30LPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFBE30LPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | I2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3 Ohm @ 2.5A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | *IRFBE30LPBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFBE30LPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 78nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 800V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف: | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFBE30LPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFBE30STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFBE30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFBE30STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFBE30L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 | تحقيق |
|
IRFBE20S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
|
IRFBE30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFBE30S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog