يشترى IXTU02N50D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IXTU02N50D
- رقم القطعة:
- IXTU02N50D
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12741 Pieces
- ورقة البيانات:
- IXTU02N50D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IXTU02N50D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IXTU02N50D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 Ohm @ 50mA, 0V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.1W (Ta), 25W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IXTU02N50D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 120pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | - |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | Depletion Mode |
| وصف موسع: | N-Channel 500V 200mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 500V |
| وصف: | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-251 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXTU02N50D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
FQB34N20TM_AM002 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | تحقيق |
 |
FDG315N | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 | تحقيق |
 |
IXTU01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK | تحقيق |
 |
FDA24N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN | تحقيق |
|
IXTU06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.6A TO-251 | تحقيق |
 |
STW7N90K5 | STMicroelectronics | N-CHANNEL 800 V, 0.75 OHM TYP., | تحقيق |
 |
NTTFS4C25NTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | تحقيق |
 |
IRFR4615PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D-PAK | تحقيق |
 |
IPL65R230C7AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON | تحقيق |
|
IXTU01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 8A TO-251 | تحقيق |
 |
AOI2606 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET NCH 60V 46A TO251A | تحقيق |
 |
STN2NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 2.4A SOT-223 | تحقيق |
|
IXTU05N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.5A TO-251 | تحقيق |
 |
IXTA75N10P | IXYS | MOSFET N-CH 100V 75A TO-263 | تحقيق |
|
IRFR1205TRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 44A DPAK | تحقيق |
|
IXTU01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 | تحقيق |
|
IXTU05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251 | تحقيق |
 |
STB5N62K3 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK | تحقيق |
 |
NTMFS4931NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 236A SO8FL | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog